Desenvolvimento e aplicação industrial de wafers de silício ultrafinos

A indústria fotovoltaica, como um setor impulsionado pela tecnologia, passou por várias rodadas de iterações tecnológicas cujos objetivos sempre estiveram relacionados a melhoria da eficiência e otimização da cadeia de produção em busca de maior sustentabilidade e redução de custos. Tecnicamente, à medida que a eficiência das células do tipo-p se aproxima de seu pico, as células solares do tipo-n se tornaram a nova tendência da época, dado o potencial de atingir maiores eficiências, inclusive aproximando-se dos limites teóricos de eficiência para células de silício de única junção . A tecnologia de heterojunção (HJT), como uma das principais rotas para células solares do tipo-n, atraiu a atenção de todos por suas vantagens e por seu potencial de melhoria de outras características, que vão além de apenas a eficiência.

A Risen Energy, líder global em soluções abrangentes de energia inteligente fotovoltaica, previu essa mudança e iniciou a pesquisa e desenvolvimento da tecnologia HJT em 2019. Ao longo dos anos, a empresa investiu recursos substanciais na pesquisa e na produção em massa de módulos HJT, tendo garantido dois anos consecutivos de liderança global em remessas de HJT. Como resultado de muito investimento no desenvolvimento e aprimoramento da tecnologia, os módulos HJT Risen quebraram, por quatro vezes consecutivas, recordes mundiais de eficiência de módulos HJT, como o módulo HJT Risen da linha Hyper-Ion que teve a potência de 741W e eficiência de 23,89% certificados pela TUV em 2023. Os módulos HJT Risen concentram alta densidade de potência, os menores coeficientes de temperatura de Pmax e degradação linear anual, além de muita tecnologia de ponta embarcada.

Ao longo dos anos de desenvolvimento, a Risen Energy também realizou pesquisas aprofundadas sobre vários fatores importantes que permeiam a obtenção de alta confiabilidade e redução de custos para a produção em massa em larga escala da tecnologia HJT, tornando-a viável e competitiva. Ao final de 2022, a Risen desenvolveu e começou a produzir, em larga escala, wafers de silício ultrafinos, e células com tecnologia de barramento zero na célula, conhecida como 0BB, utilização de pasta de metalização com baixo teor de prata e tecnologia de interconexão de células sob baixa temperatura, chamada Hyperlink, garantindo alta confiabilidade das células HJT Risen. Estas tecnologias integram os módulos HJT Risen através da linha Hyper-ion de ultra-altas potências 700 Wp+.

Visto que todas as melhorias tecnológicas são resultado de muito investimento em P&D e anos de experiência com a tecnologia de células HJT, para apoiar a redução contínua de custos e a produção em massa de produtos HJT em todo o setor, o que contribuirá ainda mais com a otimização da cadeia, a Risen Energy compilou as experiências e conhecimento acumulado em um white paper. Após o primeiro ser lançado em agosto de 2023, desta vez, a Risen Energy compartilha sua experiência em relação ao desenvolvimento e à aplicação industrial de wafers de silício ultrafinos.

Como é amplamente conhecido, os wafers de silício, as pastas de metalização e os custos de equipamentos correspondem por mais de 90% dos custos totais das células HJT. Os wafers de silício, sozinhos, representam 55%. Portanto, fica evidente que a redução dos custos dos wafers de silício é um dos principais meios para impulsionar a produção em massa de HJT. A Risen fez um progresso significativo no desenvolvimento técnico e na aplicação industrial de wafers de silício ultrafinos após anos de pesquisa e investimento, que a levou ao encontro da redução de custos e alavancou a competitividade que hoje se vê desta tecnologia. Atualmente, a Risen Energy domina a produção em massa de células usando wafers de silício ultrafinos de 110 μm e 100 μm, com capacidade de produzir wafers com espessuras inferiores a 100 μm.

Para baixar o White Paper clique aqui: https://br.risenenergy.com/uploads/20240117/PORTUGUESE-Risen%E2%80%99s%20HJT%20Hyper-ion_A%20White%20Paper%20on%20Development%20and%20Industrial%20Application%20of%20Ultra-Thin%20Silicon%20Wafers_V2.3_20240115_jhw.pdf